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	双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法
	姚丹阳 ; 张锦川 ; 闫方亮 ; 刘俊岐 ; 王利军 ; 刘峰奇 ; 王占国
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
公开日期	2013-05-08
申请日期	2013-01-25
专利申请号	CN201310028764.7
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25685]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	姚丹阳,张锦川,闫方亮,等. 双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法.

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