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	制备低密度、长波长InAs/GaAs 量子点的方法
	张世著 ; 叶小玲 ; 徐波 ; 王占国
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
公开日期	2013-06-05
申请日期	2013-01-28
专利申请号	CN201310032256.6
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25680]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	张世著,叶小玲,徐波,等. 制备低密度、长波长InAs/GaAs 量子点的方法.

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