硼铝共掺背面场硅太阳能电池及其制备方法 | |
范玉杰 ; 韩培德 ; 梁鹏 ; 邢宇鹏 ; 叶舟 ; 胡少旭 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 光电子学 |
公开日期 | 2012-12-19 |
申请日期 | 2012-09-10 |
专利申请号 | CN201210333056.X |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25212] ![]() |
专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 范玉杰,韩培德,梁鹏,等. 硼铝共掺背面场硅太阳能电池及其制备方法. |
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