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	硼铝共掺背面场硅太阳能电池及其制备方法
	范玉杰 ; 韩培德 ; 梁鹏 ; 邢宇鹏 ; 叶舟 ; 胡少旭
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
公开日期	2012-12-19
申请日期	2012-09-10
专利申请号	CN201210333056.X
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25212]
专题	半导体研究所_光电子研究发展中心
推荐引用方式 GB/T 7714	范玉杰,韩培德,梁鹏,等. 硼铝共掺背面场硅太阳能电池及其制备方法.

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