一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 | |
赵桂娟 ; 李志伟 ; 桑玲 ; 刘贵鹏 ; 刘长波 ; 谷承艳 ; 魏鸿源 ; 刘祥林 ; 朱勤生 ; 杨少延 ; 王占国 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体材料 |
公开日期 | 2012-12-12 |
申请日期 | 2012-09-05 |
专利申请号 | CN201210325568.1 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25331] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵桂娟,李志伟,桑玲,等. 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法. |
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