CORC  > 电子学研究所  > 高功率微波源与技术院重点实验室  > 专利
一种垂直内对中钎焊装置
张海霞 ; 李 鹏 
2010-12-24
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院电子学研究所 
中文摘要本实用新型公开一种垂直内对中钎焊装置,涉及微波电子制造技术,包括一支架部分、一调校部分;在使用状态下,钼杆两端分别穿套着上拉杆柱、上固紧件和下拉杆柱、下固紧件,并拉直固定于上水平架、下水平架上;钼杆中部穿套着工件、上平台、下平台,工件置于上平台上表面,上平台与钼杆相互垂直后,置于高频钎焊炉中。本实用新型的垂直内对中钎焊装置,可确保行波管在封接输入、输出组件时相互垂直,保证了行波管通过率的提高。
公开日期2007-08-01 ; 2010-12-24
申请日期2006-07-27
语种中文
专利申请号CN200620119049.X 
专利代理周国城 
内容类型专利
源URL[http://159.226.65.12/handle/80137/4915]  
专题电子学研究所_高功率微波源与技术院重点实验室_高功率微波源与技术院重点实验室_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
张海霞,李 鹏 . 一种垂直内对中钎焊装置. 2010-12-24.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace