一种垂直内对中钎焊装置 | |
张海霞 ; 李 鹏 | |
2010-12-24 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
中文摘要 | 本实用新型公开一种垂直内对中钎焊装置,涉及微波电子制造技术,包括一支架部分、一调校部分;在使用状态下,钼杆两端分别穿套着上拉杆柱、上固紧件和下拉杆柱、下固紧件,并拉直固定于上水平架、下水平架上;钼杆中部穿套着工件、上平台、下平台,工件置于上平台上表面,上平台与钼杆相互垂直后,置于高频钎焊炉中。本实用新型的垂直内对中钎焊装置,可确保行波管在封接输入、输出组件时相互垂直,保证了行波管通过率的提高。 |
公开日期 | 2007-08-01 ; 2010-12-24 |
申请日期 | 2006-07-27 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN200620119049.X |
专利代理 | 周国城 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/4915] ![]() |
专题 | 电子学研究所_高功率微波源与技术院重点实验室_高功率微波源与技术院重点实验室_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张海霞,李 鹏 . 一种垂直内对中钎焊装置. 2010-12-24. |
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