| 题名 | 光化学沉积氧化物SiO_2 SnO_2薄膜的研究 |
| 作者 | 温刚 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1989 |
| 授予单位 | 中国科学院电子学研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院电子学研究所 |
| 导师 | 杨连贵 |
| 学位专业 | 电子物理与器件 |
| 中文摘要 | 光化学汽相沉积是近年来发展起来的一种新的薄膜沉积技术。在大规模集电路、MOS器件，SIS太阳能电池以及钇钡铜氧超导材料中氧化膜的制备方面，光化学沉积的激发选择性，空间选择性及基板温度选择性等特点正在发挥越来越重要的作用。本文采用CW CO_2激光和TEACO_2激光，研究了SnO_2透明导电膜的制备和SiCl_4的红外多光子吸收过程，发现沉积的氧化物薄膜形状与激光的输出模式有关；SiCl_4气体经红外多光子吸收过程离解或Si原子，Si原子再与氧气反应生成SiO_2薄膜。本文还采用低压汞灯为光源，分别以空气为工作气体、过氧化氢为引发剂，研究了单晶硅表面的增强氧化效应和紫外光的“记忆效应”。在680℃温度下，分别得到了3.4A/min和7.4A/min氧化速率。我们认为，激光低阶模中的高斯分布及高阶模式输出，是形成火山口形状和环状氧化物薄膜的主要原因。CiCl_4的离解和氧化是红外多光子吸收过程，低温紫外光化学沉积确实获得了增强氧化和“记忆效应”的效果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-07-19 |
| 页码 | 64 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/9295]  |
| 专题 | 电子学研究所_电子所博硕士学位论文_电子所博硕士学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 温刚. 光化学沉积氧化物SiO_2 SnO_2薄膜的研究[D]. 中国科学院电子学研究所. 中国科学院电子学研究所. 1989. |
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