| 题名 | 二氧化锡薄膜的生长与性能及新型太阳电池的研究 |
| 作者 | 胡中波 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1986 |
| 授予单位 | 中国科学院电子学研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院电子学研究所 |
| 导师 | 杨连贵 |
| 学位专业 | 电子物理与器件 |
| 中文摘要 | 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法是近年发展起来的制备薄膜材料的新方法。本研究应用PECVD法，以S_nCl_4和O_2作源，沉积出了稳定性好，可见和近紫外波段光透射率高、厚度、导电性、结构及形貌可以控制的均匀S_nO_(2-x)薄膜。系统地研究了沉积条件对薄膜生长及薄膜性能的影响，并将所沉积的薄膜应用于太阳能电池的研制。本研究提出了一种新型结构太阳电池的理论模型，其突出特点是改变了以往的各种结构模型中在组成电池的各半导体层内均交掺杂的传统。应用这种结构模型并针对已知的半导体材料进行计算，电池的最大转换效率达到了前所未有的39.38% (AMI)及36.80% (AMO)。虽然要使实际电池效率达到与理论计算结果相当的水平还需作很大努力，但初步实验的结果证明了该新型电池结构的正确性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-07-19 |
| 页码 | 93 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/9191]  |
| 专题 | 电子学研究所_电子所博硕士学位论文_电子所博硕士学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡中波. 二氧化锡薄膜的生长与性能及新型太阳电池的研究[D]. 中国科学院电子学研究所. 中国科学院电子学研究所. 1986. |
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