| 题名 | 绝缘栅双极晶体管在大功率固态调制器中的应用研究 |
| 作者 | 蔡政平 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2007-06-16 |
| 授予单位 | 中国科学院电子学研究所 |
| 授予地点 | 电子学研究所 |
| 导师 | 王勇 |
| 关键词 | 绝缘栅双极晶体管 大功率 固态调制器 SABER 仿真 |
| 中文摘要 | 本文主要对绝缘栅双极晶体管（IGBT）的特性及其在大功率固态调制器中的应用进行了研究。 通过分析、试验和软件模拟，对比了不同工艺、封装形式的IGBT产品作为高压脉冲开关的表现，选择了NPT型单管封装IGBT作为调制器的开关元件。针对实践中使用的具体器件，详细推导分析了IGBT工作时内部的半导体物理过程，并且建立了基于MAST语言的器件物理模型。 分析了不同拓扑结构的可行性，选择了合理的调制器主电路形式。针对速调管负载在波形和快速保护等方面的要求，分别设计了IGBT开关模块以及相关的驱动和保护等电路，并完成了电路的安装和调试，形成一台能够用于速调管测试的调制器，其性能达到设计的预期要求。 针对在高压条件下难于测量的开关暂态过程，在SABER软件平台上开展了IGBT开关模块工作过程的有关仿真研究。重点分析了均压网络、分布参数、元件离散性等因素对调制器输出特性的影响；对开关过程产生的功率损耗进行了定量计算。对打火过程中，造成IGBT损坏的几种损坏机制进行了仿真分析并提出了相应的解决办法。 通过以上工作，提出了基于IGBT的固态脉冲调制器的设计方法和建模分析方法，据此获得的试验结果和仿真结果有较好的一致性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-07-19 |
| 页码 | 56 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/8325]  |
| 专题 | 电子学研究所_电子所博硕士学位论文_电子所博硕士学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡政平. 绝缘栅双极晶体管在大功率固态调制器中的应用研究[D]. 电子学研究所. 中国科学院电子学研究所. 2007. |
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