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一种具有静电防护结构的集成电路
杨海钢 ; 孙嘉斌 
2010-12-24
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院电子学研究所 
中文摘要本发明公开一种具有静电防护结构的集成电路,包括:输入端口ESD保护单元、输出端口ESD保护单元、内核电源ESD保护单元、I/O电源ESD保护单元、输入/输出双向端口ESD保护单元、内核逻辑单元。相对于传统的静电放电防护电路及方法,本发明提出的技术方案,针对在可编程逻辑器件中大量采用的双向输入/输出端口,采用了专门的静电放电防护电路结构。在这个基础上,本发明进一步提出了兼容双向输入/输出端口的集成电路静电放电防护电路结构,大大提高了整个芯片对静电放电的防护能力,能够有效地改善静电放电烧毁芯片所带来芯片可靠性
公开日期2008 ; 2010-12-24
申请日期2007-03-21
语种中文
专利申请号CN200710064597.6 
专利代理周国城 
内容类型专利
源URL[http://159.226.65.12/handle/80137/5467]  
专题电子学研究所_可编程芯片与系统研究室_可编程芯片与系统研究室_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
杨海钢,孙嘉斌 . 一种具有静电防护结构的集成电路. 2010-12-24.
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