一种生化传感器芯片及制备工艺方法
夏善红 ; 汪祖民 ; 韩泾鸿 
2010-12-24
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院电子学研究所 
中文摘要本发明公开一种差分结构生化传感器芯片,第一延长栅和第二延长栅具有两种敏感性质的聚吡咯层,第一延长栅、准参比电极及第二延长栅分别与各压焊块相连。本发明公开的方法用电化学法聚合得到第一延长栅上生长pH敏感的第一聚吡咯层、第二延长栅上生长pH钝化的第二聚吡咯层;准参比电极的第三铝层由标准CMOS工艺在加工芯片时沉积,第三铂层采用磁控溅射法沉积生长在第三铝层上。采用多晶硅栅标准工艺流片实现差分结构离子敏场效应晶体管芯片。在后续工艺中制备pH敏感层与pH钝化层的方法,解决目前因采用不同材料作为pH敏感层与pH钝化层
公开日期2009-05-13 ; 2010-12-24
申请日期2007
语种中文
专利申请号CN200710176923.2 
专利代理梁爱荣 
内容类型专利
源URL[http://159.226.65.12/handle/80137/5395]  
专题电子学研究所_传感技术国家重点实验室(北方基地)_传感技术国家重点实验室(北方基地)_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
夏善红,汪祖民,韩泾鸿 . 一种生化传感器芯片及制备工艺方法. 2010-12-24.
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