| 单面悬浮腐蚀薄膜的方法 | |
| 陈绍风 ; 张建刚 ; 夏善红 | |
| 2010-12-24 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 一种单面悬浮腐蚀薄膜的方法，包括步骤：用黑胶-沥青保护硅片带有金属引线薄膜的一面，将硅片腐蚀到剩下20μm-30μm；黑胶清洗干净后，将硅片悬浮在支架上；由支架下面的腐蚀液继续腐蚀硅片到要求的尺寸。本发明使恒温的腐蚀液在硅片下面流动通过，对硅片单面进行腐蚀，同时腐蚀液的流动起到搅拌的作用，将产生的氢气带走。本发明的特点是结构简单，易于加工，可根据不同需要制作不同规格设备等优点。可以获得清洁的薄膜表面，制备出带有NiCr/NiCr等(其他金属)热电偶和电极的大面积超薄型Si3N4(厚度50nm以上)等薄膜。 |
| 公开日期 | 2004-02-26 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2002-08-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN02130138.7 |
| 专利代理 | 戎志敏 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/5265]  |
| 专题 | 电子学研究所_传感技术国家重点实验室（北方基地）_传感技术国家重点实验室（北方基地）_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈绍风,张建刚,夏善红 . 单面悬浮腐蚀薄膜的方法. 2010-12-24. |
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