| 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法; 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法 | |
| 包信和 ; 李星运 ; 周永华 ; 潘秀莲 | |
| 2014 | |
| 专利国别 | CN |
| 专利号 | CN201210181890.1 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种新型高比表面积SiC基的新型纳米碳复合材料制备方法。通过选择合成温度、气氛、不同催化剂，可实现在SiC表面控制生长出一层或多层不同厚度的碳层，且该碳层的形貌和结构特点随合成条件不同而不同。本发明实现了基于SiC的C-SiC复合材料的合成，该复合材料同时具有碳材料与SiC的优势，可应用于催化和吸附中。 |
| 是否PCT专利 | 否 |
| 公开日期 | 2013-12-18 |
| 申请日期 | 2012-06-04 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201210181890.1 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/120779]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 包信和,李星运,周永华,等. 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法, 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法. CN201210181890.1. 2014-01-01. |
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