| 题名 | SRAM单粒子效应评估方法研究 |
| 作者 | 陈善强 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 师立勤 |
| 关键词 | 单粒子效应 TCAD三维模拟电荷分享 Geant4 在轨翻转率 |
| 学位专业 | 空间物理 |
| 中文摘要 | 本文基于器件模拟软件TCAD(technology computer aided design)和蒙特卡罗工具包Geant4形成了一套评估SRAM单粒子翻转的方法。本文利用该方法获得0.18um SRAM重离子和质子单粒子翻转截面，分析了电荷分享对单粒子多位翻转的影响，并结合静态辐射环境模型预测不同型号SRAM在不同屏蔽下的单粒子在轨翻转率。 |
| 索取号 | 00490 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 空间环境 |
| 分类号 | P |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.cssar.ac.cn/handle/122/529]  |
| 专题 | 国家空间科学中心_空间环境部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈善强. SRAM单粒子效应评估方法研究[D]. 中国科学院研究生院. 2010. |
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