用于材料改性的宽束离子源现状及其发展

	用于材料改性的宽束离子源现状及其发展
	尤大纬 ; 冯毓材 ; 王宇
刊名	微细加工技术
	1996
期号	1 页码:67-75
关键词	离子束材料改性离子源薄膜制备离子注入
ISSN号	1003-8213
其他题名	STATUS AND DEVELOPMENT OF BROAD BEAMION SOURCES FOR MATERIAL MODIFICATION
通讯作者	北京8701信箱
中文摘要	本文叙述了对材料衣面改性的宽束离子源的要求，重.点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束落发强流金属离子源，也介绍了RF,ECR离子源及MEVVA 源。
英文摘要	The demands on broad ion sources for material modification are described. The kaufman ion sources and the Electron beam evaporation metal ion source (EBE)of high current are emphasised. The RF，ECR，as well as MEVVA sources are also introduced.
学科主题	空间技术
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.cssar.ac.cn/handle/122/598]
专题	国家空间科学中心_空间技术部
推荐引用方式 GB/T 7714	尤大纬,冯毓材,王宇. 用于材料改性的宽束离子源现状及其发展[J]. 微细加工技术,1996(1):67-75.
APA	尤大纬,冯毓材,&王宇.(1996).用于材料改性的宽束离子源现状及其发展.微细加工技术(1),67-75.
MLA	尤大纬,et al."用于材料改性的宽束离子源现状及其发展".微细加工技术 .1(1996):67-75.