在硅基底上制备二氧化钛或二氧化锆微图案方法
陈淼 ; 梁山
2010-06-16
专利国别中国
专利号200710307722.1
专利类型发明
权利人中国科学院兰州化学物理研究所
中文摘要

本发明公开了一种在硅基底上制备二氧化钛或二氧化锆微图案方法。本发明以廉价的无机盐水溶液作为原料来替代传统的金属醇盐,以化学沉积法制得了图案化的二氧化钛、二氧化锆的无机物薄膜。紫外光照使得硅表面荷正电,抑制了无机物在该区域的沉积。所得到的氧化物图案为负相图案。该方法未对表面进行任何修饰,在完全亲水的表面上即可获得图案,具有操作简单,成本低廉的优点,且拓展了光电效应在图案化领域的应用。

学科主题材料科学与物理化学
公开日期2014-03-20
申请日期2007-12-13
语种中文
专利申请号CN101459053
专利代理方晓佳
内容类型专利
源URL[http://210.77.64.217/handle/362003/5384]  
专题兰州化学物理研究所_固体润滑国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
陈淼,梁山. 在硅基底上制备二氧化钛或二氧化锆微图案方法. 200710307722.1. 2010-06-16.
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