半导体纳米复合薄膜的制备方法
娄文静; 王晓波
2010-02-17
专利国别中国
专利号200710078087.4
专利类型发明
权利人中国科学院兰州化学物理研究所
中文摘要

本发明公开了一种半导体纳米复合薄膜的制备方法。本发明将可形成硫化镉纳米颗粒的分子前驱体溶于氧化钛溶胶,从而实现前驱体与氧化钛胶粒分子级别的均匀混合,将此溶胶再进行涂膜,进而进行热处理,在热处理过程中前驱体在氧化钛膜中原位形成硫化镉纳米颗粒。

学科主题材料科学与物理化学
公开日期2014-03-20
申请日期2007-12-25
语种中文
专利申请号CN101471392
专利代理方晓佳
内容类型专利
源URL[http://210.77.64.217/handle/362003/5375]  
专题兰州化学物理研究所_固体润滑国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
娄文静,王晓波. 半导体纳米复合薄膜的制备方法. 200710078087.4. 2010-02-17.
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