电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压 | |
张振中![]() ![]() ![]() | |
刊名 | 发光学报
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2013-06-15 | |
期号 | 06页码:692-697 |
关键词 | ZnO 量子阱 电子束泵浦 激子隧穿 |
中文摘要 | 对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究。样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长。激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高。非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的7 kV降低到了更适合器件小型化的5 kV。 |
收录类别 | CNKI |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2014-03-07 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38993] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张振中,王双鹏,刘雷. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压[J]. 发光学报,2013(06):692-697. |
APA | 张振中,王双鹏,&刘雷.(2013).电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压.发光学报(06),692-697. |
MLA | 张振中,et al."电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压".发光学报 .06(2013):692-697. |
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