电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压

	电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压
	张振中; 王双鹏; 刘雷
刊名	发光学报
	2013-06-15
期号	06 页码:692-697
关键词	ZnO 量子阱电子束泵浦激子隧穿
中文摘要	对不同加速电压电子束泵浦下的ZnO/Zn0.85Mg0.15O量子阱的荧光光谱进行了研究。样品利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长。激子隧穿使非对称双量子阱的激发效率相对于对称阱有了明显提高。非对称阱的结构设计使最佳激发电压从对称阱的7 kV降低到了更适合器件小型化的5 kV。
收录类别	CNKI
语种	中文
公开日期	2014-03-07
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38993]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	张振中,王双鹏,刘雷. 电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压[J]. 发光学报,2013(06):692-697.
APA	张振中,王双鹏,&刘雷.(2013).电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压.发光学报(06),692-697.
MLA	张振中,et al."电子束泵浦ZnO/ZnMgO量子阱的最佳激发电压".发光学报 .06(2013):692-697.