线阵探测器KLI-2113总剂量辐照性能试验分析 | |
张航 ; 刘栋斌 | |
刊名 | 发光学报
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2013-05-15 | |
期号 | 05页码:611-616 |
关键词 | 电荷耦合器件 总剂量辐射 暗电流 电荷转移效率 损伤机理 |
中文摘要 | 针对Kodak公司的商用CCD探测器KLI-2113进行了总剂量为30 krad(Si)的60Co-γ辐射试验。对比辐射前后CCD的主要参数变化,分析了总剂量辐射对CCD工作性能的影响,并研究了总剂量辐射导致CCD暗电流增大、电荷转移效率降低以及图像噪声增加等现象的内在机理,为后续CCD抗总剂量辐射加固提供依据和参考。 |
收录类别 | CNKI |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2014-03-07 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38901] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张航,刘栋斌. 线阵探测器KLI-2113总剂量辐照性能试验分析[J]. 发光学报,2013(05):611-616. |
APA | 张航,&刘栋斌.(2013).线阵探测器KLI-2113总剂量辐照性能试验分析.发光学报(05),611-616. |
MLA | 张航,et al."线阵探测器KLI-2113总剂量辐照性能试验分析".发光学报 .05(2013):611-616. |
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