非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高
张振中; 王双鹏; 刘雷
刊名发光学报
2013-07-15
期号07页码:872-876
关键词ZnO 量子阱 激子隧穿 内量子效率
中文摘要在c-plane面蓝宝石衬底上生长了ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱,其内量子效率相对于对称量子阱有了显著的提高。ZnO/Zn0.85Mg0.15O的10周期对称量子阱和5周期非对称双量子阱都是利用等离子体辅助分子束外延技术制备的。ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的内量子效率提高至对称阱的1.56倍。时间分辨光谱和光致发光谱测试结果证实,在ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱中存在从窄阱到宽阱的激子隧穿过程,这是内量子效率提高的主要原因。
收录类别CNKI
语种中文
公开日期2014-03-07
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38465]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
张振中,王双鹏,刘雷. 非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高[J]. 发光学报,2013(07):872-876.
APA 张振中,王双鹏,&刘雷.(2013).非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高.发光学报(07),872-876.
MLA 张振中,et al."非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高".发光学报 .07(2013):872-876.
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