电子封装材料高体积分数SiC/Al制备和性能

	电子封装材料高体积分数SiC/Al制备和性能
	包建勋 ; 曹琪
刊名	电子测试
	2013
期号	24 页码:253-254
关键词	电子封装材料无压熔渗高体积分数SiC/Al 双连通结构封装材料高体积分数
中文摘要	采用无压熔渗法制备了用于特种电子封装的高体积分数SiC增强Al复合材料。复合材料中SiC含量高于60vol.%,SiC陶瓷相均匀分布于Al合金基体中.增强相和合金基体局部形成双连通结构,保证SiC/Al复合材料有低膨胀系数和高热导;复合材料力学性能优良,韧度优于传统陶瓷封装材料。高体分SiC/Al和半导体材料热匹配良好,综合性能优异,满足特种高可靠性电子系统封装材料使用要求。
收录类别	CNKI
语种	中文
公开日期	2014-03-07
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38282]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	包建勋,曹琪. 电子封装材料高体积分数SiC/Al制备和性能[J]. 电子测试,2013(24):253-254.
APA	包建勋,&曹琪.(2013).电子封装材料高体积分数SiC/Al制备和性能.电子测试(24),253-254.
MLA	包建勋,et al."电子封装材料高体积分数SiC/Al制备和性能".电子测试 .24(2013):253-254.