氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究

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	氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究
	曹必松 ; 何元金 ; 郁伟中 ; 麦振洪 ; 崔树范
刊名	核技术
	1982
期号	6 页码:70-72
语种	中文
公开日期	2013-09-22
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/42751]
专题	物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	曹必松,何元金,郁伟中,等. 氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究[J]. 核技术,1982(6):70-72.
APA	曹必松,何元金,郁伟中,麦振洪,&崔树范.(1982).氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究.核技术(6),70-72.
MLA	曹必松,et al."氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究".核技术 .6(1982):70-72.