GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜

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	GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜
	刘洪飞 ; 陈弘 ; 李志强 ; 万里 ; 黄绮 ; 周均铭 ; 罗毅 ; 韩英军
刊名	物理学报
	2000
卷号	49 期号:6 页码:1132-1135
公开日期	2013-09-17
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/38528]
专题	物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘洪飞,陈弘,李志强,等. GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜[J]. 物理学报,2000,49(6):1132-1135.
APA	刘洪飞.,陈弘.,李志强.,万里.,黄绮.,...&韩英军.(2000).GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜.物理学报,49(6),1132-1135.
MLA	刘洪飞,et al."GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜".物理学报 49.6(2000):1132-1135.