一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法

	一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法
	时文华
	2013-05-01
专利国别	中国
专利号	102437166A
专利类型	发明
权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中文摘要	本发明涉及一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法，包括以下步骤：一、在SOI的顶层表面通过光刻结合刻蚀工艺将顶层材料刻穿至到达SOI的埋层材料，在所述SOI的埋层表面形成若干个独立的热隔离柱；二、将所述步骤一中形成的热隔离柱与衬底键合；三、去除SOI的底层材料，露出SOI的埋层底面；四、采用光刻结合刻蚀工艺，对所述步骤三中非热隔离柱区域对应的SOI的埋层进行刻蚀至刻穿，形成若干个独立的像素点；五、采用电子束蒸镀方法，在所述步骤四的像素点表面制备可调谐热光带通滤波器。本发明通过引入键合工艺，在实现像素点之间热隔离的同时，避开使用牺牲层，制造工艺简单可靠，更有利于技术的推广普及。
公开日期	2014-01-20
申请日期	2011-10-09
专利申请号	201110302464.4
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1499]
专题	苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台
推荐引用方式 GB/T 7714	时文华. 一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法. 102437166A. 2013-05-01.