基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法

	基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法
	李海军; 付凯
	2013-08-07
专利国别	中国
专利号	102185002A
专利类型	发明
权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中文摘要	本发明公开了基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法,其包括:一SI-GaAs衬底;一位于所述衬底上的AlAs缓冲层;一位于所述缓冲层上的AlAs:Si下接触层;一位于所述下接触层上的多量子阱层;一位于所述多量子阱层上的AlAs:Si上接触层;一位于所述上接触层上的金属薄膜和上电极,所述的金属薄膜具有光栅结构,所述的上电极镶嵌于金属光栅中;一位于所述下接触层上并环绕整个所述的金属薄膜、上接触层和多量子阱层的环形下电极。本发明公开的探测器利用Plasmon的局域特性和光栅的选频特性,实现了信号的增强和滤波,提高了量子阱的吸收效率,增强了量子阱红外探测器的灵敏度。
公开日期	2014-01-20
申请日期	2011-04-01
专利申请号	201110080969.0
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1486]
专题	苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台
推荐引用方式 GB/T 7714	李海军,付凯. 基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法. 102185002A. 2013-08-07.