应用环境扫描电镜研究硫酸钾小晶体生长

	应用环境扫描电镜研究硫酸钾小晶体生长
	陈勇 ; 邵曼君 ; 李竹川
刊名	电子显微学报
	2002
期号	05 页码:761-762
关键词	硫酸钾小晶体:8321 扫描电镜研究:3240 晶体生长速率:2536 应用环境:2433 晶体生长过程:1717 过饱和度:1381 过程工程:1111 生长条件:894 中国科学院:768 开放实验室:646
公开日期	2013-12-24
内容类型	期刊论文
版本	出版稿
源URL	[http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/6915]
专题	过程工程研究所_研究所（批量导入）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈勇,邵曼君,李竹川. 应用环境扫描电镜研究硫酸钾小晶体生长[J]. 电子显微学报,2002(05):761-762.
APA	陈勇,邵曼君,&李竹川.(2002).应用环境扫描电镜研究硫酸钾小晶体生长.电子显微学报(05),761-762.
MLA	陈勇,et al."应用环境扫描电镜研究硫酸钾小晶体生长".电子显微学报 .05(2002):761-762.