| 一种反铁电薄膜的制备方法; 一种反铁电薄膜的制备方法 | |
| 李润伟 ; 左正笏 ; 詹清峰 ; 陈斌 ; 杨华礼 ; 刘宜伟 | |
| 2013-01-23 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供了一种反铁电薄膜的制备方法。该方法采用由硅片层、中间层和铂薄膜组成的镀铂硅片；首先，将镀铂硅片放入腐蚀溶液中，使中间层与腐蚀溶液反应，铂薄膜从硅片上脱离；然后，将铂薄膜转移到去离子水中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上并干燥；最后，在铂薄膜上制备反铁电薄膜。与现有技术相比，本发明制得的反铁电薄膜脱离了衬底的束缚，实验证实有效提高了反铁电薄膜的能量存储密度，同时也提高了其能量转换效率，作为储能元件具有广泛的应用前景。 |
| 公开日期 | 2013-12-16 |
| 专利申请号 | CN201210332301.5 |
| 专利代理 | 陈英俊 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/10915]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李润伟,左正笏,詹清峰,等. 一种反铁电薄膜的制备方法, 一种反铁电薄膜的制备方法. 2013-01-23. |
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