| 一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法; 一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法 | |
| 俞峥 ; 曹鸿涛 ; 梁凌燕 ; 许望颖 ; 方燕群 ; 叶小娟 | |
| 2012-09-19 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种YAlO3复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法，以金属钇靶(Y)和铝靶(Al)为源材料，采用磁控溅射和快速退火技术来制备YAlO3复合氧化物高K介质作为薄膜晶体管的栅介质层材料，并且以ITO玻璃作为衬底，源、漏电极为Ti/Au双层金属膜电极，制得的薄膜晶体管可采用顶栅结构或者底栅结构；本发明的制备方法简单可控，可实现低温制备，制造成本较低；制得的薄膜晶体管性能优良，具有较小的漏电流和较大的电容，可发展成全透明薄膜晶体管，在显示器件技术领域应用前景十分广阔。 |
| 公开日期 | 2013-12-16 |
| 专利申请号 | CN201110056308.4 |
| 专利代理 | 袁忠卫 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/10801]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 俞峥,曹鸿涛,梁凌燕,等. 一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法, 一种钇铝氧复合氧化物高K介质薄膜晶体管的制备方法. 2012-09-19. |
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