| 一种单轴磁各向异性薄膜的制备方法; 一种单轴磁各向异性薄膜的制备方法 | |
| 刘宜伟 ; 李润伟 ; 詹清峰 ; 彭姗姗 ; 谢亚丽 ; 左正笏 | |
| 2012-09-19 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种单轴磁各向异性薄膜的制备方法。该方法选用具有各向异性热膨胀系数的衬底，将其安装在加热器上，加热器上安装温度传感器，使加热器、温度传感器构成闭环反馈回路，加热衬底至预设温度，使衬底受热膨胀或收缩，然后利用磁控溅射或脉冲激光沉积的方法在膨胀或收缩后的衬底上生长磁性薄膜，最后将衬底温度降至室温，使衬底收缩或膨胀，从而对磁性薄膜产生一定的压应力或张应力，得到单轴磁各向异性薄膜。与现有技术相比，本发明的制备方法结构设计简单巧妙、通过控制衬底温度的控制能够实现面内单轴磁各向异性可控的目的，具有良好的工业应用前景。 |
| 公开日期 | 2013-12-16 |
| 专利申请号 | CN201210134865.8 |
| 专利代理 | 陈英俊 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/10800]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘宜伟,李润伟,詹清峰,等. 一种单轴磁各向异性薄膜的制备方法, 一种单轴磁各向异性薄膜的制备方法. 2012-09-19. |
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