| 一种无结薄膜晶体管的制作方法; 一种无结薄膜晶体管的制作方法 | |
| 万青 ; 竺立强 ; 张洪亮 | |
| 2012-08-01 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种无结薄膜晶体管的制作方法。该方法包括：首先，在绝缘衬底上依次沉积导电层、栅介质层与重掺杂半导体层；然后采用激光烧蚀工艺对得到的三层膜结构进行两类激光图形化开槽，分别形成用于分离源、漏电极与栅电极的第一隔离带，以及分离薄膜晶体管单元的第二隔离带，从而获得无结薄膜晶体管阵列。与现有技术相比，本发明只需要简单的三层薄膜沉积与激光选择性图形化烧蚀工艺，即可获得大面积无结薄膜晶体管阵列，极大地简化了制作工艺流程，降低了制作成本，在平板显示和便携式电子器件等领域具有十分广阔的应用前景。 |
| 公开日期 | 2013-12-16 |
| 专利申请号 | CN201210077194.6 |
| 专利代理 | 陈英俊 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/10759]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万青,竺立强,张洪亮. 一种无结薄膜晶体管的制作方法, 一种无结薄膜晶体管的制作方法. 2012-08-01. |
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