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	一种自支撑多铁性复合薄膜的制备方法; 一种自支撑多铁性复合薄膜的制备方法
	李润伟 ; 左正笏 ; 陈斌 ; 刘宜伟 ; 朱小健 ; 杨华礼
	2011-10-26
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所
中文摘要	本发明公开了一种自支撑多铁性复合薄膜的制备方法，改方法采用由硅片层、中间层和厚度为纳米级的铂薄膜层组成的镀铂硅片；将镀铂硅片放入氢氟酸溶液，使镀铂硅片的中间层与氢氟酸反应被刻蚀，铂薄膜从硅片上脱离而漂浮在溶液表面；然后将铂薄膜转移到盛有去离子水的器皿中清洗；之后将铂薄膜平铺到由耐高温材料制成的基片上并干燥；最后在铂薄膜上依次沉积铁电层薄膜和铁磁层薄膜。与现有技术相比，本发明的制备方法成本低、制备条件温和，且工艺简单可控，得到的自支撑多铁性复合薄膜由于没有衬底束缚力的影响，对外界刺激的感应更加灵敏，能够提高多铁性复合薄膜的磁电耦合系数。
公开日期	2013-12-16
专利申请号	CN201110086403.9
专利代理	陈英俊
内容类型	专利
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/10557]
专题	宁波材料技术与工程研究所_专利成果
推荐引用方式 GB/T 7714	李润伟,左正笏,陈斌,等. 一种自支撑多铁性复合薄膜的制备方法, 一种自支撑多铁性复合薄膜的制备方法. 2011-10-26.

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