| 一种p型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法; 一种p型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法 | |
| 曹鸿涛 ; 梁凌燕 ; 刘志敏 | |
| 2010-06-30 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种p型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法，采用电子束蒸发技术和快速热退火技术来制备p型导电的氧化亚锡沟道层。该制备方法简单可控，可实现低温制备；制得的晶体管具有较高的场效应迁移率，可用于有机发光二极管以及发展氧化物基低损耗补偿逻辑电路等，在显示器技术领域中应用前景十分广阔。 |
| 公开日期 | 2013-12-16 |
| 专利申请号 | CN201010040097.0 |
| 专利代理 | 胡红娟 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/10381]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹鸿涛,梁凌燕,刘志敏. 一种p型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法, 一种p型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法. 2010-06-30. |
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