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	一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法; 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法
	李润伟 ; 诸葛飞 ; 何聪丽 ; 刘兆平 ; 周旭峰
	2009-12-09
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所
中文摘要	本发明涉及一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法，该存储单元包括绝缘 衬底，绝缘衬底表面设置第一电极，第一电极表面上设置具有电阻转变特性材料制成的 中间层，中间层的表面设置第二电极，其特征在于：所述中间层由氧化石墨烯薄膜形成， 中间层的厚度范围为1～200nm。与现有技术相比，本发明的优点在于：中间层不采用 氧化物材料，而是采用氧化石墨烯薄膜，这种结构的电阻型随机存储器在直流电压连续 扫描激励下表现出优异的高低阻态之间的转变和记忆特性，其高低电阻态间的差值可大 于80倍，所有器件的擦写均不需要电形成过程，这些特性表明本发明在非挥发性存储 器件领域具有潜在的应用价值。
公开日期	2013-12-16
专利申请号	CN200910100140.5
专利代理	袁忠卫
内容类型	专利
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/10325]
专题	宁波材料技术与工程研究所_专利成果
推荐引用方式 GB/T 7714	李润伟,诸葛飞,何聪丽,等. 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法, 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法. 2009-12-09.

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