一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法; 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法 | |
李润伟 ; 诸葛飞 ; 何聪丽 ; 刘兆平 ; 周旭峰 | |
2009-12-09 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法,该存储单元包括绝缘 衬底,绝缘衬底表面设置第一电极,第一电极表面上设置具有电阻转变特性材料制成的 中间层,中间层的表面设置第二电极,其特征在于:所述中间层由氧化石墨烯薄膜形成, 中间层的厚度范围为1~200nm。与现有技术相比,本发明的优点在于:中间层不采用 氧化物材料,而是采用氧化石墨烯薄膜,这种结构的电阻型随机存储器在直流电压连续 扫描激励下表现出优异的高低阻态之间的转变和记忆特性,其高低电阻态间的差值可大 于80倍,所有器件的擦写均不需要电形成过程,这些特性表明本发明在非挥发性存储 器件领域具有潜在的应用价值。 |
公开日期 | 2013-12-16 |
专利申请号 | CN200910100140.5 |
专利代理 | 袁忠卫 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/10325] ![]() |
专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李润伟,诸葛飞,何聪丽,等. 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法, 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法. 2009-12-09. |
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