| 题名 | 单层还原态氧化石墨烯的充放电性质及电荷迁移行为研究 |
| 作者 | 申月 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2013-05 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 胡钧 |
| 关键词 | 石墨烯 氧化石墨烯 充电 电荷传输 原子力显微镜 扫描极化力显微镜 开尔文探针力显微镜 |
| 其他题名 | Charging and discharging of single layer reduced graphene oxide sheets and charges transfer behaviours |
| 学位专业 | 核技术及应用 |
| 中文摘要 | 研究不同石墨烯片之间的电荷转移规律是构建以石墨烯片为基础的电子/电学器件的基础。石墨烯应用于各种非悬浮的纳米电子器件的使用环境中，或在外延生长、化学气相沉积等生长环境下，石墨烯通常被放置在各种衬底的表面。由于石墨烯只有一个原子层，承载石墨烯的衬底将会影响石墨烯的性质, 在石墨烯与承载它的衬底界面间捕获的电荷会对石墨烯电子器件如石墨烯场效应晶体管的性能产生很大的影响。实验中主要利用扫描极化力显微镜和开尔文探针力显微镜研究了电荷在物理上隔开的还原态氧化石墨烯片层间的传输。测量的结果表明电荷可以通过绝缘衬底实现在隔开的还原态氧化石墨烯片层间的传导。电荷在还原态氧化石墨烯片层间的传输效率依赖于它们之间的间距、正对长度和绝缘衬底的材料。我们发展了一种方法得到了在SiO2衬底上的具有一定间距和正对长度的特定沟道能隔断的电压阈值。电荷注入到绝缘体表面的石墨烯后可以通过介电层传输，进而影响到临近的石墨烯片层，这种长程的作用方式影响到了纳米器件的集成，且在特定功能的石墨烯纳米电子器件的设计中是必须要考虑的因素。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-12-06 |
| 页码 | 102 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/13382]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申月. 单层还原态氧化石墨烯的充放电性质及电荷迁移行为研究[D]. 中国科学院研究生院. 2013. |
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