对管式差分输出PMOS辐射剂量计 | |
郭旗 | |
2007-01-24 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | ZL200410094862.1 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种对管式差分输出PMOS辐射剂量计,该剂量计包括对管式差分输出PMOS剂量计探头、测量偏置方法、剂量记录读出技术、温度补偿方法和退火效应修正方法;利用双p-沟道金属-氧化物-半导体晶体管pMOSFET构成的对管式差分输出的PMOS剂量测量探头;利用该探头构成的辐射剂量计;该剂量计的测量技术、读出技术;以及该剂量计所采用的温度补偿技术和对pMOSFET辐射响应退火效应的修正技术。 |
公开日期 | 2013-11-27 |
申请日期 | 2004-11-17 |
专利申请号 | 200410094862.1 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3143] |
专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭旗. 对管式差分输出PMOS辐射剂量计. ZL200410094862.1. 2007-01-24. |
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