| 一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻 | |
| 巴维真 ; 陈朝阳 ; 丛秀云 ; 蔡志军 ; 崔志明 | |
| 2008-04-02 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200410092027.4 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中；利用锌在n型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值热敏电阻器。该电阻器适用于温度计(如体温计)使用的热敏电阻必须是高B值的元件；集成电路板上表面贴片技术使用的热敏元件要求采用高B值片式元件；电动机等设备中，需要抑制机器启动时较强的浪涌电流，对设备进行保护；在各类充电设备中，需要使用高B值的热敏电阻抑制浪涌电流，延长电池的寿命。 |
| 公开日期 | 2013-11-27 |
| 申请日期 | 2004-11-05 |
| 专利申请号 | 200410092027.4 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3136]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 巴维真,陈朝阳,丛秀云,等. 一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻. ZL200410092027.4. 2008-04-02. |
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