| 金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法 | |
| 陈朝阳 ; 范艳伟 ; 董茂进 ; 丛秀云 ; 陶明德 ; 王军华 | |
| 2011-03-23 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200810072972.6 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及金和镍掺杂单晶硅片式热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素金和镍作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中，利用金和镍在n型单晶硅中的电补偿性质，制备出负温度系数热敏材料，然后在精密划片机上划片，芯片两端制作电极，其电极采用镍、银两层结构，实现了硅晶体和电极之间的欧姆接触。所用硅热敏功能材料以单晶硅半导体为基础，掺杂金和镍金属原子，形成深能级俘获中心，使材料产生热敏特性，经过严格控制掺杂原子在硅中的浓度及其分布，易于实现用氧化物陶瓷热敏材料难以实现的高B值低阻值元件，并提高热敏材料和元件的一致性、重复性、稳定性。 |
| 公开日期 | 2013-11-27 |
| 申请日期 | 2008-10-15 |
| 专利申请号 | 200810072972.6 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3059]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈朝阳,范艳伟,董茂进,等. 金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法. ZL200810072972.6. 2011-03-23. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论