发光区插入超薄LiF层对有机电致发光器件性能的影响

	发光区插入超薄LiF层对有机电致发光器件性能的影响
	贺小光 ; 田苗苗 ; 荀显超 ; 李春杰
刊名	发光学报
	2012
卷号	33 期号:2 页码:192-196
关键词	外量子效率有机荧光有机电致发光
ISSN号	1000-7032
通讯作者	贺小光
中文摘要	着重对比了在以DCM 掺杂Alq3为发光层的红光器件的发光区插入超薄LiF层后器件性能的改善。插入超薄LiF层后，器件的最大工作电流密度为487mA/cm2，相应的最大电致发光亮度为76740cd/m2，最大外量子效率为5．9%。器件内量子效率为 40%，超过了基于有机荧光小分子发光材料的有机电致发光器件的内量子效率的理论极限值 25%。对器件内单线态及三线态激子的形成过程进行了分析，并推测:超薄LiF层的插入提高了器件内单线态电荷转移态/三线态电荷转移态的形成比例，进而提高了器件内单线态激子在激子总数中的比例，最终提高了器件的内量子效率。同时，超薄LiF层的插入改变了发光层内局域的内部电场，使器件的外量子效率不仅没有随电流密度的增加而降低，反而非线性增加。
收录类别	CSCD收录国内期刊论文
语种	中文
公开日期	2013-11-17
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/49174]
专题	长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	贺小光,田苗苗,荀显超,等. 发光区插入超薄LiF层对有机电致发光器件性能的影响[J]. 发光学报,2012,33(2):192-196.
APA	贺小光,田苗苗,荀显超,&李春杰.(2012).发光区插入超薄LiF层对有机电致发光器件性能的影响.发光学报,33(2),192-196.
MLA	贺小光,et al."发光区插入超薄LiF层对有机电致发光器件性能的影响".发光学报 33.2(2012):192-196.