| Si_6N_2团簇结构与性质的密度泛函理论研究 | |
| 张材荣; 陈玉红; 蒲忠胜; 王道斌; 元丽华; 许广济; 陈宏善 | |
| 2007-08-01 | |
| 会议日期 | 2007 |
| 关键词 | 氮化硅 团簇 结构与性质 密度泛函理论 |
| 卷号 | Vol.24 |
| 页码 | 3 |
| 英文摘要 | 用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函 B3LYP 方法,在6—31G(d)的水平上对 Si_6N_2团簇的可能结构进行了几何结构优化和电子结构计算,得到了16个可能的异构体,Si_6N_2团簇的最稳定结构是有4个 Si—N 键和4个 Si—Si 键的三维结构,自然键轨道方法分析成键性质的结果表明,Si-N 键中 Si 原子向 N 原子有较大的电荷转移,因此 Si—N 原子间有较强的电相互作用；最强的 IR 和 Raman 谱峰分别位于1359．14cm~(-1)和1366．29cm~(-1)处；并计算了 Si_6N_2团簇的最稳定结构的极化率和超极化率。 |
| 会议录出版地 | 第十四届全国原子与分子物理学术会议论文专辑 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/28950]  |
| 专题 | 理学院 |
| 作者单位 | 1.兰州理工大学理学院 2.兰州理工大学理学院 3.兰州理工大学理学院 4.兰州理工大学理学院 5.兰州理工大学理学院 6.兰州理工大学有色金属合金及加工教育部重点实验室 7.西北师范大学物理与电子工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张材荣,陈玉红,蒲忠胜,等. Si_6N_2团簇结构与性质的密度泛函理论研究[C]. 见:. 2007. |
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