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氩离子溅射刻蚀对Ti-Si-C纳米复合薄膜XPS分析的影响
姜金龙; 陈娣; 王琼; 杨华; 魏智强
刊名稀有金属材料与工程
2014-04-15
期号2014年04期页码:977-981
关键词Ti-Si-C纳米复合薄膜 氩离子溅射刻蚀 X射线光电子能谱 键合结构
ISSN号ISSN:1002-185X
英文摘要通过中频非平衡磁控溅射Ti80Si20复合靶在氩气和甲烷混合气氛中沉积Ti-Si-C复合薄膜。采用X射线衍射仪、Raman光谱和X射线光电子能谱分析薄膜微结构。结果显示:制备的薄膜为非晶碳(a-C:Si:H)包裹约10 nm TiC晶粒的复合结构,氩离子溅射刻蚀对XPS分析结果有显著影响。随氩离子刻蚀溅射刻蚀时间增加,薄膜表面C、O原子含量明显降低,而Ti、Si原子含量增加。氩离子溅射刻蚀导致薄膜非晶碳相发生石墨化转变,即sp3C-C(H)/sp2C-C比率减小,同时,C-Ti*/C-Ti和C-(Ti+Ti*)/C-C强度比明显增加。
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语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/8948]  
专题理学院
作者单位1.中国科学研究院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室
2.兰州理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
姜金龙,陈娣,王琼,等. 氩离子溅射刻蚀对Ti-Si-C纳米复合薄膜XPS分析的影响[J]. 稀有金属材料与工程,2014(2014年04期):977-981.
APA 姜金龙,陈娣,王琼,杨华,&魏智强.(2014).氩离子溅射刻蚀对Ti-Si-C纳米复合薄膜XPS分析的影响.稀有金属材料与工程(2014年04期),977-981.
MLA 姜金龙,et al."氩离子溅射刻蚀对Ti-Si-C纳米复合薄膜XPS分析的影响".稀有金属材料与工程 .2014年04期(2014):977-981.
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