一类自突触作用下神经元电路的设计和模拟

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	一类自突触作用下神经元电路的设计和模拟
	任国栋; 武刚; 马军; 陈旸
刊名	物理学报
	2015
期号	2015年05期页码:392-400
关键词	自突触神经元电路尖峰放电簇放电
ISSN号	ISSN：1000-3290
英文摘要	神经元在自突触作用下可以诱发各类放电活动的迁移,神经元动作电位对电自突触的响应比较敏感.通常用包含延迟因子和增益的反馈回路电流来刻画自突触对神经元动作电位的影响.基于Pspice软件,设计了包含自突触效应的神经元电路,用以延迟反馈电路来模拟电自突触对电位的调制作用.研究结果发现:1)在外界刺激和电自突触回路协同作用下,神经元电路输出信号可以呈现静息态,尖峰放电,簇放电状态.2)在时变增大的外界刺激下和自突触回路驱动下,神经元电路的输出电位序列在多种电活动模式之间(静息,尖峰放电,簇放电)交替出现,其机理在于自突触回路具有记忆特性,神经元对于不同的外界刺激可以做出不同模式的响应.3)在给定比较大外界刺激下,改变反馈回路的增益,发现电路输出的序列也可以呈现不同模式交替,即神经元对于相同的刺激可以通过自我调节自突触增益来产生不同模式的响应,其机理可能在于回路的有效反馈,这有助于理解突触的可塑性.
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语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/7535]
专题	理学院
作者单位	兰州理工大学物理系
推荐引用方式 GB/T 7714	任国栋,武刚,马军,等. 一类自突触作用下神经元电路的设计和模拟[J]. 物理学报,2015(2015年05期):392-400.
APA	任国栋,武刚,马军,&陈旸.(2015).一类自突触作用下神经元电路的设计和模拟.物理学报(2015年05期),392-400.
MLA	任国栋,et al."一类自突触作用下神经元电路的设计和模拟".物理学报 .2015年05期(2015):392-400.