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SiPM核辐射探测器电路设计
谭晓明; 蒲忠胜; 魏志勇; 皮本松; 王振
刊名核电子学与探测技术
2016-04-20
期号2016年04期页码:371-375
关键词SiPM 核辐射探测器 电压偏置电路 跨阻放大器
ISSN号ISSN:0258-0934
英文摘要本文研究基于硅光电倍增管(SiPM)和塑料闪烁体的核辐射探测器电路,设计了适用于SiPM电压偏置电路和信号放大电路,并测试了电路的相关参数:电压偏置电路噪声在5m V以下,放大电路输出信号幅度可达伏级,带宽约为80MHz,最大信噪比在50db左右,四路探测器总功率为0.84W,符合项目设计要求。
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语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/5755]  
专题理学院
作者单位1.兰州理工大学理学院
2.南京航空航天大学航天学院
推荐引用方式
GB/T 7714
谭晓明,蒲忠胜,魏志勇,等. SiPM核辐射探测器电路设计[J]. 核电子学与探测技术,2016(2016年04期):371-375.
APA 谭晓明,蒲忠胜,魏志勇,皮本松,&王振.(2016).SiPM核辐射探测器电路设计.核电子学与探测技术(2016年04期),371-375.
MLA 谭晓明,et al."SiPM核辐射探测器电路设计".核电子学与探测技术 .2016年04期(2016):371-375.
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