以APTES为硅源制备SiO_2包覆羰基铁粉的吸波性能

doi:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2018.05.016

CORC > 兰州理工大学 > 兰州理工大学 > 理学院

	以APTES为硅源制备SiO_2包覆羰基铁粉的吸波性能
	刚骏涛 2; 冯旺军 1; 李靖 2; 刘力源 3
刊名	材料科学与工程学报
	2018-10-20
卷号	36 期号:2018年05期页码:773-777+799
关键词	二氧化硅包覆羰基铁粉复介电常数复磁导率反射吸收率
ISSN号	ISSN：1673-2812
DOI	10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2018.05.016
英文摘要	以3-氨丙基三乙氧基硅烷（APTES）为硅源,利用化学浴沉积法在羰基铁粉（CIP）表面包覆二氧化硅（SiO2）获得SiO2@CIP核壳结构复合吸波剂,采用多种技术手段表征了复合吸波剂的组成、形貌和结构;通过矢量网络分析仪测试样品的电磁性能。结果显示:APTES为硅源的包覆技术可制备SiO2@CIP复合吸波剂,SiO2包覆层的厚度约为10nm;用Agilent/HP-8720ET矢量网络分析仪对样品进行吸波性能分析,当吸波剂的涂覆层厚度为d=1.9mm时,在6.4GHz至11.4GHz波段范围的反射吸收率小于-10dB,最低反射吸收率达到-58.6dB。
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WOS研究方向	Engineering
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:6357819
状态	已发表
内容类型	期刊论文
源URL	[http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/1521]
专题	理学院
作者单位	1.兰州理工大学,理学院;;兰州理工大学, ;;有色金属先进加工与再利用国家重点实验室, 兰州;;兰州, 甘肃;;甘肃 730050;;730050, 中国 2.兰州理工大学,理学院, 兰州, 甘肃 730050, 中国 3.兰州理工大学, 有色金属先进加工与再利用国家重点实验室, 兰州, 甘肃 730050, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	刚骏涛,冯旺军,李靖,等. 以APTES为硅源制备SiO_2包覆羰基铁粉的吸波性能[J]. 材料科学与工程学报,2018,36(2018年05期):773-777+799.
APA	刚骏涛,冯旺军,李靖,&刘力源.(2018).以APTES为硅源制备SiO_2包覆羰基铁粉的吸波性能.材料科学与工程学报,36(2018年05期),773-777+799.
MLA	刚骏涛,et al."以APTES为硅源制备SiO_2包覆羰基铁粉的吸波性能".材料科学与工程学报 36.2018年05期(2018):773-777+799.