非晶材料晶化过程温度-电特性测试系统的设计

doi:10.19708/j.ckjs.2008.08.009

	非晶材料晶化过程温度-电特性测试系统的设计
	王晓兰 ; 张万宏 ; 寇生中 ; 王慧中
刊名	测控技术
	2008-08-18
期号	2008年08期页码:31-32
关键词	晶化过程温度控制自校正电阻率测试 MSP430
ISSN号	ISSN：1000-8829
DOI	10.19708/j.ckjs.2008.08.009
英文摘要	提出了非晶材料晶化过程温度控制和电阻率测试的总体设计方案,介绍了测试系统的控制算法及硬件和软件设计。在电阻率测试中采用四探针方法,克服了接触电阻和引线电阻的影响;在温度控制中采用了组合自校正算法,满足了调节和跟踪两个方面的要求。试验表明,本测试系统完全满足了非晶材料晶化过程电特性研究的需要。
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语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/18566]
专题	电气工程与信息工程学院材料科学与工程学院
作者单位	1.甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室 2.兰州理工大学电气工程与信息工程学院 3.青海大学化工学院
推荐引用方式 GB/T 7714	王晓兰,张万宏,寇生中,等. 非晶材料晶化过程温度-电特性测试系统的设计[J]. 测控技术,2008(2008年08期):31-32.
APA	王晓兰,张万宏,寇生中,&王慧中.(2008).非晶材料晶化过程温度-电特性测试系统的设计.测控技术(2008年08期),31-32.
MLA	王晓兰,et al."非晶材料晶化过程温度-电特性测试系统的设计".测控技术 .2008年08期(2008):31-32.