直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化 | |
丁雨田; 张杨; 王璟; 胡勇; 陈小焱 | |
刊名 | 兰州理工大学学报
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2012-08-15 | |
期号 | 2012年04期页码:1-4 |
关键词 | 反应磁控溅射 ZnO晶种层 沉积工艺 |
ISSN号 | ISSN:1673-5196 |
英文摘要 | 采用直流反应磁控溅射法,在不同O2/Ar分压比(1∶3、1∶4),不同溅射功率密度(24、40、48W/cm2)及不同热处理温度(400、800℃)条件下制备出ZnO晶种层,研究O2/Ar分压比、溅射功率及热处理的最佳工艺,对制备的晶种层微观形貌和结构进行SEM、AFM、XRD表征,分析磁控溅射相关工艺参数对预制ZnO晶种层的影响机理,发现在O2/Ar分压比为1∶4,溅射功率密度为40W/cm2及800℃热处理条件下制备的ZnO晶种层质量最优. |
URL标识 | 查看原文 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/11502] ![]() |
专题 | 省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室 材料科学与工程学院 |
作者单位 | 兰州理工大学甘肃省有色金属新材料重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁雨田,张杨,王璟,等. 直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化[J]. 兰州理工大学学报,2012(2012年04期):1-4. |
APA | 丁雨田,张杨,王璟,胡勇,&陈小焱.(2012).直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化.兰州理工大学学报(2012年04期),1-4. |
MLA | 丁雨田,et al."直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化".兰州理工大学学报 .2012年04期(2012):1-4. |
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