直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化

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	直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化
	丁雨田; 张杨; 王璟; 胡勇; 陈小焱
刊名	兰州理工大学学报
	2012-08-15
期号	2012年04期页码:1-4
关键词	反应磁控溅射 ZnO晶种层沉积工艺
ISSN号	ISSN：1673-5196
英文摘要	采用直流反应磁控溅射法,在不同O2/Ar分压比(1∶3、1∶4),不同溅射功率密度(24、40、48W/cm2)及不同热处理温度(400、800℃)条件下制备出ZnO晶种层,研究O2/Ar分压比、溅射功率及热处理的最佳工艺,对制备的晶种层微观形貌和结构进行SEM、AFM、XRD表征,分析磁控溅射相关工艺参数对预制ZnO晶种层的影响机理,发现在O2/Ar分压比为1∶4,溅射功率密度为40W/cm2及800℃热处理条件下制备的ZnO晶种层质量最优.
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语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/11502]
专题	省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室材料科学与工程学院
作者单位	兰州理工大学甘肃省有色金属新材料重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	丁雨田,张杨,王璟,等. 直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化[J]. 兰州理工大学学报,2012(2012年04期):1-4.
APA	丁雨田,张杨,王璟,胡勇,&陈小焱.(2012).直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化.兰州理工大学学报(2012年04期),1-4.
MLA	丁雨田,et al."直流反应磁控溅射预制ZnO晶种层工艺参数优化".兰州理工大学学报 .2012年04期(2012):1-4.