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	单晶铜键合丝的制备方法
	丁雨田; 曹军; 胡勇; 许广济; 寇生中
	2009-09-09
著作权人	兰州理工大学
国家	中国
文献子类	发明申请
英文摘要	单晶铜键合丝的制备方法，所述的单晶铜键合丝的原材料为铜，其步骤为：采用高真空炉将纯度高于99.995％高纯铜熔化，升温到1100～1180℃，精炼60～120分钟，整个熔炼过程采用高纯氩气保护，并采用定向凝固方式拉制φ4～φ8mm单晶铜杆，然后冷加工至φ0.95～φ1.102mm，每道次拉拔加工率为15～25％，然后分为47～70个道次，采用每道次加工率为7.59～17.82％将单晶铜杆拉制0.020～0.05mm，拉丝时温度为35～45℃，将单晶铜键合丝表面采用超声波清洗，将清洗后的单晶铜键合丝进行热处理，采用H2+Ar2保护，温度为410～425℃，时间为0.7～2.0s，退火复绕时的张力为0.6～2.8g。
公开日期	2009-09-09
申请日期	2008-03-19
内容类型	专利
源URL	[http://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/110101]
专题	兰州理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	丁雨田,曹军,胡勇,等. 单晶铜键合丝的制备方法. 2009-09-09.

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