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表面等离子体多次干涉曝光的亚波长结构制备装置
王向贤; 庞志远; 王茹; 陈宜臻; 张东阳; 杨华
2017-08-11
著作权人兰州理工大学
国家中国
文献子类实用新型
英文摘要本实用新型公开了表面等离子体多次干涉曝光的亚波长结构制备装置,该装置包括He‑Cd激光器,光电快门,扩束器,1/2波片,分束器,平面反射镜,棱镜,Al膜,光刻样品和光刻样品旋转控制系统。He‑Cd激光器发出的激光束经光电快门,扩束器、1/2波片和分束器后,由平面反射镜反射,经棱镜耦合,以表面等离子体的激发角辐照到Al膜上,激发Al膜和光刻胶界面的两束沿相反方向传播的表面等离子体波,两束表面等离子体波的干涉场曝光光刻胶。通过对光刻样品多次旋转曝光,可刻写制备出二维点阵、六边形、同心等间隔圆环等各种亚波长光学结构。本实用新型具有结构简单、成本低廉的优势,在亚波长光学结构制造领域具有广泛应用。
公开日期2017-08-11
申请日期2017-01-19
内容类型专利
源URL[http://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/108878]  
专题兰州理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
王向贤,庞志远,王茹,等. 表面等离子体多次干涉曝光的亚波长结构制备装置. 2017-08-11.
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