| 题名 | 溶胶-凝胶法制备纳米ATO粉体和薄膜及其结构与性能的研究 |
| 作者 | 钟小华 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 兰州理工大学 |
| 导师 | 杨保平 ; 贾均红 |
| 关键词 | sol-gel法 纳米ATO粉体和薄膜 方块电阻 光透过率 荧光性能 |
| 学位名称 | 工学硕士 |
| 学位专业 | 化学工艺 |
| 英文摘要 | 二氧化锡(SnO2)是一种具有直接带隙的宽禁带N型半导体材料，300K时其禁带宽度为3.62eV，室温下电阻率较高，当产生氧空位或掺杂元素后形成N型半导体，具有导电性能。锑掺杂二氧化锡（Antimony doped Tin Oxide, ATO）作为透明导电薄膜由于具有优良的导电性能、光学性能、稳定性好和灵敏度高等优点，广泛应于太阳能电池、电致变色材料、防辐射抗静电材料、气敏元件、电极材料等方面。 |
| 语种 | 中文 |
| 页码 | 59 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/98771]  |
| 专题 | 兰州理工大学 |
| 作者单位 | 兰州理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟小华. 溶胶-凝胶法制备纳米ATO粉体和薄膜及其结构与性能的研究[D]. 兰州理工大学. 2008. |
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