| 题名 | 碳纳米管的定向排列及场发射性质研究 |
| 作者 | 姚东 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 兰州理工大学 |
| 导师 | 戴剑锋 |
| 关键词 | 碳纳米管 阵列合成 定向生长 重新定向排列 场发射 |
| 学位名称 | 理学硕士 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 英文摘要 | 碳纳米管具有十分独特的结构特征，应用领域很广泛。然而碳纳米管阵列的大规模制备和碳纳米管的定向排列却始终是瓶颈，大大限制了碳纳米管的应用前景。在碳纳米管的各种优异性能中，碳纳米管的场发射特性尤其引人注目，用于评价碳纳米管阵列场发射性能优劣的重要参数是场增强因子。影响该参数的主要因素包括碳纳米管阵列密度、长径比、管尖端结构和尖端电子逸出功等。因此，在理论上弄清电场增强因子与上列因素的具体关系,有利于提高场发射性能。 以铁、钴作为催化剂，NH3为前驱体采用化学气相沉积法裂解乙烯气体，合成了纯度高、定向排列单壁碳纳米管阵列。在用阳极弧等离子体蒸发内含金属催化剂（Fe、Co、Ni）的石墨棒合成碳纳米管的实验中，阴极棒状物沉积物中的碳纳米管管束基本沿圆柱棒轴线分布。利用强酸氧化法提纯粗产物，去除了催化剂粒子、无定形炭及纳米炭颗粒等杂质，得到了结构缺陷少、准直、且定向排列的碳纳米管管束，并提出碳纳米管管束的定向排列是由于弧电场引起的磁致效应形成的。同时还研究了电弧等离子体合成碳纳米管的影响因素及生长机理。 |
| 语种 | 中文 |
| 页码 | 60 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/96704]  |
| 专题 | 兰州理工大学 |
| 作者单位 | 兰州理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚东. 碳纳米管的定向排列及场发射性质研究[D]. 兰州理工大学. 2005. |
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