低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响
尹飞
刊名光子学报
2009
卷号38期号:8页码:1937-1940
ISSN号1004-4213
通讯作者汪韬
合作状况其它
学科主题红外技术及仪器
收录类别其他
语种中文
公开日期2010-01-18
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/8240]  
专题西安光学精密机械研究所_光电子学研究室
推荐引用方式
GB/T 7714
尹飞. 低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响[J]. 光子学报,2009,38(8):1937-1940.
APA 尹飞.(2009).低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响.光子学报,38(8),1937-1940.
MLA 尹飞."低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响".光子学报 38.8(2009):1937-1940.
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