有限元法分析栅极对CNTs场发射性能的影响

doi:10.19603/j.cnki.1000-1190.2010.04.010

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	有限元法分析栅极对CNTs场发射性能的影响
	郭永庆 2; 慕晓文 1
刊名	华中师范大学学报(自然科学版)
	2010-12-15
卷号	44 期号:2010年04期页码:570-573
关键词	场发射栅极冷阴极碳纳米管场增强因子
ISSN号	ISSN：1000-1190
DOI	10.19603/j.cnki.1000-1190.2010.04.010
英文摘要	建立了栅极冷阴极结构和二极管结构的碳纳米管(CNTs)场发射阴极,利用有限元素法对发射体的场发射性能进行了模拟,进一步计算并分析了栅极、栅极电压以及栅孔半径等参数对碳纳米管尖端电场分布和场发射性能的影响.结果表明,栅极对碳管尖端的激发电场具有很强的增强作用;栅极电压越高,场增强因子越大;最佳场发射栅孔半径为碳纳米管半径的10倍;栅极使得碳纳米管的开启电压降低,发射电流密度增加.
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WOS研究方向	Physics
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:4089573
状态	已发表
内容类型	期刊论文
源URL	[http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/14377]
专题	兰州理工大学
作者单位	1.兰州理工大学理学院, 兰州, 甘肃 730050, 中国 2.甘肃民族师范学院物理与水电工程系, 合作, 甘肃 747000, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	郭永庆,慕晓文. 有限元法分析栅极对CNTs场发射性能的影响[J]. 华中师范大学学报(自然科学版),2010,44(2010年04期):570-573.
APA	郭永庆,&慕晓文.(2010).有限元法分析栅极对CNTs场发射性能的影响.华中师范大学学报(自然科学版),44(2010年04期),570-573.
MLA	郭永庆,et al."有限元法分析栅极对CNTs场发射性能的影响".华中师范大学学报(自然科学版) 44.2010年04期(2010):570-573.